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        頂點光電子商城2024年12月27日消息：為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。

        MasterGaN-SiP在一個封裝內整合了GaN功率晶體管與開關速度和控制準確度優化的柵極驅動器。使用高集成度的系統級封裝SiP代替采用多個分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時加快設計速度，節省PCB電路板空間。

         電源整合了MasterGaN1L（內置兩個650V 150m? GaN FET晶體管）與意法半導體的L6599A諧振控制器，峰值能效高于94%，原邊無需安裝散熱器。電源還集成了意法半導體的SRK2001A同步整流控制器，整體面積緊湊（80mm×50mm），功率密度高達每立方英寸34瓦（W/inch3）。

         電源的最大輸出電流為10A，在24V直流電壓時，輸出功率為250W，待機電流低于1μA，具有卓越的節能效果。L6599A和SRK2001A內置的保護功能可以防護過流、短路和過壓的沖擊，而輸入電壓監測可確保電源正常啟動并提供欠壓鎖定。

         在應用前景方面，該參考設計適用于空間有限、能效至關重要的工業級電源。憑借其出色的性能和緊湊的設計，該參考設計有望在工業電源領域引發一場革命性的變革。

         在市場價值方面，該參考設計的推出，進一步鞏固了意法半導體在半導體行業的領先地位。通過提供高效、緊湊的電源解決方案，該參考設計有助于推動工業電源的升級換代，提高整體能效和功率密度，降低生產成本，為工業領域帶來更大的經濟效益和社會效益。

         總之，意法半導體推出的250W MasterGaN參考設計在緊湊性、高效性和可靠性方面表現出色，具有廣闊的應用前景和市場價值。