頂點光電子商城2024年12月24日消息：三星電子作為全球DRAM制造龍頭大廠，一直在積極研發(fā)新技術(shù)以保持其市場領(lǐng)先地位。隨著技術(shù)的不斷進步和市場競爭的加劇，三星需要不斷推出新一代產(chǎn)品以滿足市場需求。因此，三星決定在平澤P2廠建設(shè)第七代DRAM試驗線，以提高新一代產(chǎn)品的良率和競爭力。
據(jù)韓國媒體Business Korea報道，三星電子已于第四季度在平澤P2廠建立10nm級（1d）的第七代DRAM測試線。業(yè)界也將此測試線稱為“單路徑線”（one path），預(yù)期2025年第一季度將完全建成。雖然具體的產(chǎn)能規(guī)模尚未確定，但根據(jù)過往經(jīng)驗，一般測試產(chǎn)線的產(chǎn)能大概在每月10000片晶圓左右。這條試驗線將主要用于測試第七代DRAM的性能和量產(chǎn)潛質(zhì)。
三星在MemCon 2024活動中曾宣布，計劃在2026年前量產(chǎn)第七代DRAM。而在此之前，三星還需要完成第六代DRAM的量產(chǎn)準備工作。據(jù)悉，三星計劃于2025年開始量產(chǎn)1c DRAM（第六代），隨后再于2026年開始量產(chǎn)1d DRAM（第七代）。
通過建立第七代DRAM試驗線，三星展示了其積極的發(fā)展戰(zhàn)略和對新技術(shù)研發(fā)的重視。這有助于鞏固三星在全球存儲市場上的領(lǐng)先地位，并提高其與競爭對手的競爭優(yōu)勢。在高帶寬存儲器（HBM）等領(lǐng)域，三星面臨著來自SK海力士等競爭對手的激烈競爭。通過建立新一代DRAM試驗線并加速量產(chǎn)準備工作，三星旨在保持其技術(shù)領(lǐng)先地位并擴大市場份額。
綜上所述，三星在平澤P2廠建設(shè)10nm第七代DRAM試驗線是其積極發(fā)展戰(zhàn)略和市場競爭策略的重要組成部分。這將有助于提高新一代產(chǎn)品的良率和競爭力，進一步鞏固三星在全球存儲市場上的領(lǐng)先地位。
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