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          頂點光電子商城2024年12月18日消息：近日，長飛先進武漢基地項目舉行首批設備搬入儀式，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產正式進入倒計時。本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環節，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設備搬入時間大幅提前。

           長飛先進武漢基地項目正加快推進建設并對設備進行安裝調試，預計2025年5月實現量產通線。SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，到2028年全球SiC功率器件市場規模有望達到91.7億美元。

           該項目是武漢新城誕生的第一個項目，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發于一體的現代化半導體制造基地。項目的成功實施將有力推動國內化合物半導體產業的發展，提升我國在第三代半導體功率器件領域的自主研發和生產能力。

           總之，長飛先進武漢基地SiC項目作為總投資超過200億元的重大項目，在建設進展上取得了顯著成果，首批設備的成功搬入標志著項目即將邁入工藝驗證新階段。未來，隨著項目的持續推進和量產計劃的實現，將為我國在第三代半導體功率器件領域的發展注入新的動力。