頂點光電子2024年12月9日消息：近日，據市場最新消息，三星電子已在其半導體研究所成功完成其突破性400層NAND技術的開發。三星于11月開始將這項先進技術轉移到平澤P1廠的量產線上。這一重要里程碑使三星處于NAND閃存技術的前沿，因為它準備與SK海力士等行業對手競爭，后者已宣布量產321層NAND。
相比傳統的平面（2D）NAND技術，3D NAND技術具有更高的存儲性能和更低的能耗，是當前存儲技術發展的重要方向。三星電子在400層NAND技術的研發過程中，引入了“三重堆疊”技術，將存儲單元堆疊成三層，使得存儲單元的堆疊更加緊密，進一步提升了存儲性能。
三星計劃采用三層單元（TLC）架構和一種名為“垂直粘合NAND”（BV NAND）的新技術，這種技術將存儲單元和外圍電路分離到不同的晶圓上，然后以垂直結構將它們粘合在一起。這種方法有助于三星實現更高的制造良率。
隨著全球大數據、人工智能等技術的快速發展，對存儲技術的需求也在不斷增長。三星電子此次成功研發的400層NAND技術，將有助于提高數據存儲的密度和效率，滿足日益增長的存儲需求。理論上，未來三星固態硬盤的容量可達16TB，連續讀寫速度接近PCIe 5.0 x4接口的極限。
三星電子計劃于2025年下半年開始量產這種先進的NAND閃存，以滿足市場對高性能存儲解決方案的需求。同時，三星電子還計劃在2025年2月舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上，提供有關其1Tb容量400層TLC NAND的詳細公告。
在平澤園區，三星電子計劃安裝新的第9代（286層）生產設施，該設施預計每月產能將達到3萬至4萬片晶圓。此外，三星電子的西安工廠也將繼續將128層（V6）NAND生產線轉換為236層（V8）產品工藝，以進一步提升生產效率。
近年來，NAND閃存市場的競爭愈演愈烈，主要原因是人工智能應用的需求不斷增長，同時消費者對更大容量、更實惠的閃存存儲的需求也在不斷增長。三星目前占據37%的領先市場份額，但隨著美光、長江存儲、SK海力士和Kioxia等競爭對手加速開發更高密度的3D NAND，三星保持這一地位正面臨越來越大的挑戰。堆疊400層或更多層NAND并非易事，因為超過300層的堆疊已經給早期原型產品的可靠性帶來了挑戰。此外，在量產前，三星電子還需要克服良率提升、成本控制等方面的挑戰。
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