頂點光電子商城2024年12月5日消息：日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E。
SiJK140E的導通電阻表現優異，與相同占位面積的競品器件相比，其導通電阻降低了32%，同時比采用TO-263-7L封裝的40V MOSFET的導通電阻低58%。在10V電壓下的典型導通電阻低至0.34mΩ，最大限度減少了傳導造成的功率損耗，從而提高了效率。
并且，其熱性能也得到改善，其RthJC典型值為0.21°C/W，有助于降低器件在工作時的溫度，提高穩定性。
SiJK140E允許設計人員使用一個器件（而不用并聯兩個器件）實現相同的低導通電阻，從而提高了可靠性，并延長了平均故障間隔時間（MTBF）。
該MOSFET采用無線鍵合（BWL）設計，最大限度減少了寄生電感，同時最大限度提高了電流能力。與采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案相比，SiJK140E可提供高達795A的連續漏極電流，以提高功率密度，同時提供強大的SOA功能。另外，SiJK140E采用PowerPAK 10x12封裝，占位面積為120mm2，與TO-263-7L相比，可節省27%的PCB空間，同時厚度減小50%。
SiJK140E非常適合用于同步整流、熱插拔和OR-ing功能。其典型應用包括電機驅動控制、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統、機器人和3D打印機等。
該MOSFET符合RoHS標準且無鹵素，經過100%Rg和UIS測試，保證了產品的質量和可靠性。同時，為了避免產品出現共通問題，標準級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。
SiJK140E現已實現量產，并提供樣品供客戶測試。其訂貨周期為36周，客戶可根據需求進行訂購。
總之，Vishay推出的新款40V MOSFET——SiJK140E具有優異的導通電阻、良好的熱性能、高可靠性、高電流能力以及節省空間等顯著優勢。同時，其廣泛的應用范圍和可靠的產品特性也使其成為市場上備受關注的電子元件之一。
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