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           頂點光電子商城8月16日消息：近日，英諾賽科宣布氮化鎵芯片出貨量突破3億顆。

           其氮化鎵芯片在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數據中心，新能源與儲能領域的多個應用中大批量交付，幫助客戶實現小體積、高能效、低損耗的產品設計。

           氮化鎵芯片（Gallium Nitride Chips）是一類基于氮化鎵（GaN）半導體材料制造的集成電路芯片。氮化鎵是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的電子特性，使得氮化鎵芯片在高頻、高功率和高溫應用中具有出色的性能。

          氮化鎵芯片特點有：高電子遷移率： 氮化鎵具有比硅（Si）和碳化硅（SiC）更高的電子遷移率，可以實現更高的電流密度和更低的導通電阻，從而降低功率損耗。高頻性能： 氮化鎵芯片具有出色的高頻特性，適用于射頻（RF）應用和微波器件。高功率密度： 氮化鎵芯片可以在高功率密度條件下工作，適用于高功率應用，如功率放大器和電源。高溫工作： 氮化鎵芯片可以在高溫環境下工作，具有優異的熱穩定性和可靠性。快速開關速度： 氮化鎵芯片的開關速度較快，有助于降低開關損耗。

         據了解，英諾賽科已基本形成全產品的生態鏈，產品覆蓋15V-700V，分為晶圓、分立器件、合封芯片三大類。截至8月，英諾賽科成功量產高壓GaN芯片（650V-700V）54 款，中低壓GaN芯片（30V-150V）20 款。