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           頂點光電子商城8月16日消息：近日，芯塔電子正式發布自主研發的1700V/5Ω SiC MOSFET產品。

           該產品針對高端汽車級應用而開發，擊穿電壓達到2300V，18V驅動下Rdson的典型值5Ω，15V驅動下典型值為7Ω。產品在開發過程中，研發團隊通過改進MOS可靠性，提高了器件的閾值電壓，并做了很多優化設計和余量設計，使之更能勝任新能源汽車領域的應用需求。同時，產品具有更小的芯片尺寸，可以有效幫助客戶減少成本。

           芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡化了應用電路，提升了應用方案的可靠性，大幅降低了系統成本。同時，SiC MOSFET極小漏電流讓客戶大幅度提升應用性能。得益于芯塔電子國產化供應鏈保障，產品的成本及供貨更具優勢和競爭力，目前已獲多家客戶訂單。

            芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。同時，該產品也為公司光耦繼電器合作商邁向800V高端新能源汽車市場提供強大賦能和支持。