頂點光電子商城8月16日消息：近日，芯塔電子正式發(fā)布自主研發(fā)的1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品。
該產(chǎn)品針對高端汽車級應(yīng)用而開發(fā)，擊穿電壓達到2300V，18V驅(qū)動下Rdson的典型值5Ω，15V驅(qū)動下典型值為7Ω。產(chǎn)品在開發(fā)過程中，研發(fā)團隊通過改進MOS可靠性，提高了器件的閾值電壓，并做了很多優(yōu)化設(shè)計和余量設(shè)計，使之更能勝任新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用需求。同時，產(chǎn)品具有更小的芯片尺寸，可以有效幫助客戶減少成本。
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡化了應(yīng)用電路，提升了應(yīng)用方案的可靠性，大幅降低了系統(tǒng)成本。同時，SiC MOSFET極小漏電流讓客戶大幅度提升應(yīng)用性能。得益于芯塔電子國產(chǎn)化供應(yīng)鏈保障，產(chǎn)品的成本及供貨更具優(yōu)勢和競爭力，目前已獲多家客戶訂單。
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。同時，該產(chǎn)品也為公司光耦繼電器合作商邁向800V高端新能源汽車市場提供強大賦能和支持。
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