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           頂點光電子商城7月27日消息：近日，東芝公司發布了一款正向電壓為1.2V的SiC 650V肖特基二極管。

          肖特基二極管是一種特殊類型的二極管，它使用SiC材料制成，具有低正向電壓和快速開關特性。碳化硅作為半導體材料具有優異的高溫性能和電特性，是一種由金屬與半導體接觸形成的二極管,，因此肖特基二極管在高功率應用中具有重要的作用。

           新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優化了第2代產品的結勢壘肖特基（JBS）結構。它們實現業界領先的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時提高了設備效率。

          這種二極管采用了碳化硅（SiC）材料，具有較低的漏電流和較高的開關速度。由于SiC材料的特殊性質，這種肖特基二極管在高溫和高電壓環境下表現出色，專用于包括開關電源、電動汽車充電站以及光伏逆變器等效率關鍵型工業設備應用。

            這款新產品的發布有望推動SiC技術的進一步發展和應用。