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           頂點光電子商城7月17日消息：近日，美國賓夕法尼亞大學工程與應用科學學院的研究人員就研發了一種新的FE-FET設計，在計算和存儲方面都展示了破紀錄的性能。

           據悉，這種全新的晶體管在鐵電材料氮化鋁鈧（AlScN）上覆蓋了一種叫做二硫化鉬（MoS2）的二維半導體，首次證明了這兩種材料可以有效地結合在一起，制造出對工業制造有吸引力的晶體管。該設備以其前所未有的薄而聞名，允許每個單獨的設備以最小的表面積運行。此外，這些微型設備可以以可擴展到工業平臺的大型陣列制造。

          半導體（MoS2）僅0.7納米，能夠攜帶的電流量也打破了紀錄。新設計使用了20納米的AlScN和0.7納米的MoS2，FE-FET能可靠地存儲數據，并實現快速訪問。

          未來，FE-FET非常有前途，這些多功能設備幾乎可以在你能想到的任何技術中占有一席之地，尤其是那些支持人工智能并消費、生成或處理大量數據的技術——從傳感到通信等等。