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硅光電二極管是一種最常見(jiàn)的光電探測(cè)器，簡(jiǎn)稱(chēng)Si PD，也是一種應(yīng)用最廣泛的光電探測(cè)器。頂點(diǎn)光電子作為濱松代理商，積累了客戶(hù)許多關(guān)于硅光電二極管（Si PD）使用相關(guān)的問(wèn)題。今天小編整理了一些關(guān)注度較高的問(wèn)題，包括硅光電二極管（Si PD）的靈敏度，光譜響應(yīng)與溫度的關(guān)系，不同光斑大小對(duì)輸出電流的影響，線(xiàn)性范圍，響應(yīng)速度，反向偏壓，以及輸出電流信號(hào)等，給大家一一解答。
一、同型號(hào)硅光電二極管（Si PD），靈敏度是否完全一致
關(guān)于同一型號(hào)的硅光電二極管（Si PD），靈敏度并不是完全一致，二是呈現(xiàn)一定的離散性。原因是受生產(chǎn)工藝的影響，每一道工序并不能做到百分百一致。但這些差異可以控制在合理的范圍內(nèi)。以濱松硅光電二極管 S2386-8K為例，在400-900nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，其靈敏度離散性（3σ）的參考值僅為5%。
二、硅光電二極管（Si PD）光譜響應(yīng)與溫度有沒(méi)有關(guān)系
溫度對(duì)硅光電二極管（Si PD）光譜響應(yīng)的影響，需要結(jié)合其峰值波長(zhǎng)。對(duì)于一款硅光電二極管（Si PD），在其峰值波長(zhǎng)的左側(cè)區(qū)域（即小于峰值波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)區(qū)間），溫度對(duì)光譜響應(yīng)度基本沒(méi)有影響；在其峰值波長(zhǎng)的右側(cè)區(qū)域（即大于峰值波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)區(qū)間），溫度對(duì)光譜響應(yīng)度的影響存在一個(gè)正的溫度系數(shù)。如下圖以S1226-18BK和S1336-18BK為例：
三，相同入射光功率，不同光斑大小對(duì)硅光電二極管（Si PD）輸出電流的影響
在相同的入射光功率條件下，不同光斑大小是否會(huì)影響硅光電二極管（Si PD）的輸出電流，主要還是要看硅光電二極管（Si PD）的感光面積大小。如果硅光電二極管（Si PD）在入射光局部不飽和的情況下，且入射光斑面積大小小于硅光電二極管（Si PD）感光面積的80%，則輸出電流與光斑大小無(wú)關(guān)。
舉個(gè)“栗子”：以感光面直徑為10mm的Si PD為例，在入射光功率相同的情況下，光斑直徑為3mm和5mm的信號(hào)光照射到Si PD上，產(chǎn)生的光電流都是一樣的。也可以進(jìn)一步理解為，在不考慮暗電流和截止頻率等因素的前提下，小感光面的Si PD可以用的話(huà)，感光面稍大一些的Si PD也是可以用的，且效果一樣。不過(guò)，在同系列的產(chǎn)品中，感光面積越大，成本越高，在選型時(shí)需要注意。
四、硅光電二極管（Si PD）的線(xiàn)性范圍
硅光電二極管（Si PD）的線(xiàn)性范圍指的是，一款硅光電二極管（Si PD）能夠探測(cè)光量的最大值和最小值。一般來(lái)說(shuō)，硅光電二極管（Si PD）的光電流與入射光量之間具有很好的線(xiàn)性關(guān)系。當(dāng)入射光量在10的負(fù)12次方W~10的負(fù)2次方W范圍內(nèi)，可以獲得的線(xiàn)性度范圍高于九個(gè)數(shù)量級(jí)（具體取決于Si PD類(lèi)型和工作電路等）。
一款硅光電二極管（Si PD）的線(xiàn)性度下限（即探測(cè)下限）可以由噪聲等效功率（NEP）來(lái)表示，線(xiàn)性度上限（即探測(cè)上限）則取決于負(fù)載電阻和反向電壓等因素，具體可參考下面的公式：
五、硅光電二極管（Si PD）的響應(yīng)速度
硅光電二極管（Si PD）的響應(yīng)速度主要受這些因素的影響：CR時(shí)間常數(shù)，載流子擴(kuò)散速率，以及耗盡層的載流子遷移時(shí)間等。由于長(zhǎng)波長(zhǎng)光的載流子擴(kuò)散時(shí)間更長(zhǎng)，因此光譜響應(yīng)范圍的波長(zhǎng)越長(zhǎng)，硅光電二極管（Si PD）的響應(yīng)速度越慢。
如果需要更快響應(yīng)速度的硅光電二極管（Si PD），可以從以下方面進(jìn)行選型和電路處理：
1、選擇極間電容更低的Si PD；
2、減少負(fù)載電阻；
3、通過(guò)反向電壓降低極間電容。注：增加反向電壓會(huì)增加暗電流。
六、反向偏壓對(duì)硅光電二極管（Si PD）的影響
在反向偏壓的條件下，硅光電二極管（Si PD）的耗盡層寬度會(huì)增加，結(jié)電容變小，響應(yīng)速度會(huì)相應(yīng)提高，但是暗電流會(huì)變大。不加反向偏壓，硅光電二極管（Si PD）的暗電流很小，但不能提高響應(yīng)速度。
七、硅光電二極管（Si PD）的輸出電流信號(hào)如何處理
硅光電二極管（Si PD）輸出的光電流型號(hào)主要有放大、I-V轉(zhuǎn)換（電流-電壓轉(zhuǎn)換）和采集等處理方式。
對(duì)于一般的光功率檢測(cè)應(yīng)用，可直接通過(guò)皮安電流表對(duì)硅光電二極管（Si PD）輸出的光電流進(jìn)行讀出，再通過(guò)相關(guān)計(jì)算，得出光功率數(shù)據(jù)。
對(duì)于光通信領(lǐng)域，pin型的光電二極管PD用于測(cè)量高速光信號(hào)，后端需要通過(guò)高帶寬的跨阻放大器實(shí)現(xiàn)I/V轉(zhuǎn)換并放大，最后通過(guò)示波器顯示，或ADC采集。
以上就是關(guān)于硅光電二極管（Si PD）常見(jiàn)使用問(wèn)題的匯總解答，歡迎關(guān)注頂點(diǎn)光電子，我們會(huì)不定期更新濱松產(chǎn)品的使用技巧。
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