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          近日，納微半導體宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數據中心、工業電機驅動、太陽能和消費電子等要求嚴格的應用需求。

         該款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS?)二極管采用獨特的PiN-Schottky結構，提供低內置電壓偏置（低門檻電壓）以實現在各種負載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應用領域包括服務器/電信電源的PFC電路、工業電機驅動、太陽能逆變器、LCD/LED電視和照明。

         此外，該SiC功率二極管采用表貼封裝（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封裝形式，GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應用范圍，并適用于多種電路。

         納微半導體（Navitas Semiconductor）成立于 2014 年，專注于開發超高效的氮化鎵半導體產品。

        氮化鎵功率芯片將氮化鎵電源與驅動、控制和保護集成在一起，為移動設備、消費產品、企業、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。作為立足于中國本土的、全球領先的氮化鎵功率芯片公司，納微半導體目前已經拿下超過200多項專利，超過3000萬個GaNFast功率芯片已經發貨，沒有任何關于納微氮化鎵功率芯片的現場故障報告。

          此前，2021年10月20日，納微半導體敲響了納斯達克的開市鐘，并開始在納斯達克交易，企業價值超過10億美元，總融資額超過3.2億美元。

         未來，納微半導體會不斷進步，推出了新的氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術的發展翻開新篇章。