近日，中科院高能物理研究所濟南研究部推出自主研發的全自動IGBT缺陷X射線三維檢測設備。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
該設備基于X射線計算機層析成像技術，并將人工智能（AI）算法引入檢測系統，可對不合格產品進行自動識別及分揀。
另外，近期市場頻繁出現IGBT（絕緣柵雙極晶體管）供需失衡論調，IGBT 在電動車和光伏兩大需求下陷入緊缺。全球IGBT供給側高端產能稀缺或將為國產廠商帶來新一輪成長機遇，目前光伏模塊所需的高端、大電流IGBT 僅有少數廠商有供應能力。
中科院這一重大成果實現了IGBT模塊的全自動在線無損檢測，數據實時反饋存儲，有效解決了雙層焊料疊加及散熱柱導致X射線2D檢測不準確的難點，大大提高檢測效率，保障了IGBT模塊的產品品質。
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