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          近日，中科院高能物理研究所濟(jì)南研究部推出自主研發(fā)的全自動(dòng)IGBT缺陷X射線三維檢測(cè)設(shè)備。

          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

         該設(shè)備基于X射線計(jì)算機(jī)層析成像技術(shù)，并將人工智能（AI）算法引入檢測(cè)系統(tǒng)，可對(duì)不合格產(chǎn)品進(jìn)行自動(dòng)識(shí)別及分揀。

         另外，近期市場(chǎng)頻繁出現(xiàn)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）供需失衡論調(diào)，IGBT 在電動(dòng)車和光伏兩大需求下陷入緊缺。全球IGBT供給側(cè)高端產(chǎn)能稀缺或?qū)閲?guó)產(chǎn)廠商帶來(lái)新一輪成長(zhǎng)機(jī)遇，目前光伏模塊所需的高端、大電流IGBT 僅有少數(shù)廠商有供應(yīng)能力。

         中科院這一重大成果實(shí)現(xiàn)了IGBT模塊的全自動(dòng)在線無(wú)損檢測(cè)，數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)反饋存儲(chǔ)，有效解決了雙層焊料疊加及散熱柱導(dǎo)致X射線2D檢測(cè)不準(zhǔn)確的難點(diǎn)，大大提高檢測(cè)效率，保障了IGBT模塊的產(chǎn)品品質(zhì)。