近日，在第70屆IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。
海力士的這款第八代3D NAND閃存單顆容量為1Tb也就是128GB，最高數據吞吐量為194MB/s，與目前的第七代閃存相比提升了18%，除此之外通過引入三重驗編程，將延遲降低10%，從而提升閃存的性能，而且更高的存儲密度自然可以大幅降低閃存的制造成本，也可以帶來更大容量的閃存。
第八代3D NAND Flash采用5項新技術。預計最快2024年問世。
首先，三重驗證程式（TPGM）功能可縮小單元閾值電壓分布，并將tPROG（編程時間）減少10%，轉化成更高性能。
其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技術，再將tPROG降低約2%。
第三，APR方案可將讀取時間降低約2%，并縮短字線上升時間。
第四，編程虛擬串（PDS）技術可藉由降低通道電容負載縮短tPROG和tR的界線穩定時間。
最后，平面級讀取重試（PLRR）功能，允許不終止其他平面下，更改平面的讀取等級，立即發出后續讀取命令，提高服務質量(QoS)，提高讀取性能。
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