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        擴大SiC襯底尺寸既能增加產能供給，又能進一步降低SiC器件的平均成本，因此，當下，全球正積極逐鹿8英寸市場。

        近日，廈門大學成功實現了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質外延生長，成為國內首家擁有并實現該項技術的機構。

        以SiC為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。

         SiC廣泛應用于電動汽車主逆變器（Inverter）、車載充電單元（OBC）及DC/DC轉換器等應用。

        廈門大學長期致力于III族氮化物、碳化硅等寬禁帶半導體的研究，多年來不斷促進我國寬禁帶半導體的發展，為產業培養了大批的創新人才。

         本次突破，標志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關技術。該技術的實現，是廈門大學與瀚天天成電子科技(廈門)有限公司等單位產學研合作的成果，將為我國碳化硅產業的發展注入新的動力，同時推動新能源等相關領域的發展。