頂點光電子商城3月8日消息：近日，博康(嘉興)半導體總投資約6億元的氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工，該項目占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。
此次項目集產品研發、生產、銷售等功能為一體，將進一步加快開發區電子信息產業集聚，為經開區智造創新強區、經濟高質量發展提供有力支撐。
博康（嘉興）半導體科技有限公司（簡稱“博康半導體”）成立于2022年，公司立志成為國內領先的化合物半導體制造服務商，覆蓋電信基礎設施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領域提供高能效的半導體產品及解決方案。
博康半導體一期主營4英寸氮化鎵（GaN）射頻芯片、功放管，形成從GaN管芯到GaN氮化鎵功放管的系列化產品平臺，滿足客戶多元化的應用場景需求。二期將拓展到6英寸砷化鎵（GaAs）射頻芯片產品。
此前，博康半導體年產3000片氮化鎵射頻功率芯片先導線項目設計對外采購施工總承包，招標估算價約為1.9億元。
此次落戶的博康半導體產品將覆蓋電信基礎設施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領域提供高能效的半導體產品及解決方案。
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