頂點光電子商城2022年3月16日消息，全球NAND閃存生產商在今年的資本支出將達到歷史新高的299億美元，相比去年增幅8%。上一次全球NAND閃存資本支出新高是在2018年，當時為278億美元。
2018年全球NAND閃存資本支出增加的原因是，從2017年開始，閃存行業(yè)開始轉型為3D NAND。自此以后，NAND閃存行業(yè)的資本支出，每年都超過了200億美元。根據已掌握的市場數據，今年，基本上所有的NAND閃存生產商都在積極擴大資本支出。
從整個半導體行業(yè)來看，今年的資本支出預計為1904億美元，NAND閃存大概占了16%，排在晶圓代工企業(yè)的資本支出之后。今年，全球晶圓代工廠的資本支出占行業(yè)總支出的41%。
NAND閃存生產商積極擴充產能
最近正在進行產能升級的NAND閃存工廠包括三星的中國西安工廠（第二階段投資），鎧俠在日本巖手縣的Fab 6 (Flash Ventures)和Fab K1，還有三星電子在韓國平澤市的一號產線和二號產線（二號產線還有DRAM生產和代工業(yè)務）。SK海力士也正在將M15工廠的剩余產能用于生產NAND閃存。
鎧俠日本巖手縣的工廠分布
200層以上閃存產品競爭加劇
預計從今年年底至2023年，全球NAND閃存主要供應商將加緊進入200層以上閃存產品的競爭，這意味著閃存市場將需要更多的晶圓工廠和新生產設備。
預計在今年晚些時候，三星和美光將會率先批量生產用于制造200層閃存產品的設備。除了三星和美光，還有SK海力士是目前176層NAND閃存產品的主要供應商。三星在中國西安的晶圓廠將會為其最先進的NAND閃存產品代工。目前，三星在西安擁有兩座晶圓廠（包括再建的），全面投產后，月產能將能達到12萬片。
SK海力士預計，隨著企業(yè)級存儲應用的需求不斷被重視，196層及以上閃存芯片將占據市場的主要需求。
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