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        頂點光電子商城消息，據日本媒體報道，東芝、羅姆和日本電裝（Nippon Denso）已經開始研究功率半導體的節能技術，目的是到2030年之前，將在電壓轉換過程中損耗的電能減小一半。

        下一代半導體芯片將會采用以SiC和GaN為代表的材料，來替代硅材料，生產半導體晶圓。用這些材料生產的芯片有更好的節能性能。目前，日本企業正在研發新的技術，將用SiC和GaN材料生產的半導體芯片的成本，控制在硅晶圓成本的水平。

SiC功率模塊

        東芝、羅姆和日本電裝還在各自的研究領域進行了分工。東芝主要負責研發針對可再生能源和服務器電源的相關技術，羅姆的研發方向主要集中在工業設備應用，日本電裝則主要負責電動車領域的相關技術。

        日本政府還專門提供資金，以支持上述企業的研發工作。NEDO（日本新能源產業技術綜合開發機構）將在今后十年里，從用于支持碳減排技術研發的2萬億日元基金中，每年拿出大約305億日元的資金，對東芝、羅姆和日本電裝等企業進行補貼。

        東芝計劃，到2023財年，將SiC功率器件的產能提高到2020財年的2倍以上，到2025財年，產能繼續提高到2020財年的10倍以上。

        日本電裝也在大力研發SiC功率半導體，其現有的產品在耐熱性方面表現出色。豐田新款氫燃料電動汽車上，就采用了日本電裝的SiC功率器件。