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東芝、羅姆、電裝大力發(fā)展SiC、GaN功率器件 日本政府每年補(bǔ)貼305億日元

        頂點(diǎn)光電子商城消息,據(jù)日本媒體報(bào)道,東芝、羅姆和日本電裝(Nippon Denso)已經(jīng)開(kāi)始研究功率半導(dǎo)體的節(jié)能技術(shù),目的是到2030年之前,將在電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程中損耗的電能減小一半。


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        下一代半導(dǎo)體芯片將會(huì)采用以SiC和GaN為代表的材料,來(lái)替代硅材料,生產(chǎn)半導(dǎo)體晶圓。用這些材料生產(chǎn)的芯片有更好的節(jié)能性能。目前,日本企業(yè)正在研發(fā)新的技術(shù),將用SiC和GaN材料生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片的成本,控制在硅晶圓成本的水平。

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SiC功率模塊


        東芝、羅姆和日本電裝還在各自的研究領(lǐng)域進(jìn)行了分工。東芝主要負(fù)責(zé)研發(fā)針對(duì)可再生能源和服務(wù)器電源的相關(guān)技術(shù),羅姆的研發(fā)方向主要集中在工業(yè)設(shè)備應(yīng)用,日本電裝則主要負(fù)責(zé)電動(dòng)車領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)。


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        日本政府還專門提供資金,以支持上述企業(yè)的研發(fā)工作。NEDO(日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu))將在今后十年里,從用于支持碳減排技術(shù)研發(fā)的2萬(wàn)億日元基金中,每年拿出大約305億日元的資金,對(duì)東芝、羅姆和日本電裝等企業(yè)進(jìn)行補(bǔ)貼。


        東芝計(jì)劃,到2023財(cái)年,將SiC功率器件的產(chǎn)能提高到2020財(cái)年的2倍以上,到2025財(cái)年,產(chǎn)能繼續(xù)提高到2020財(cái)年的10倍以上。


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        日本電裝也在大力研發(fā)SiC功率半導(dǎo)體,其現(xiàn)有的產(chǎn)品在耐熱性方面表現(xiàn)出色。豐田新款氫燃料電動(dòng)汽車上,就采用了日本電裝的SiC功率器件。

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