三星在美國最新工廠的選址已經確定為德州泰勒市了。新廠投資170億美元，開工建設的時間計劃在2022年上半年，規劃建成投產時間在2024年下半年。巧合的是，臺積電在亞利桑那州的新廠，投產時間也在2024年。
三星的野心：打敗臺積電，當上晶圓代工老大
三星想坐上晶圓代工廠老大的位置，已經是路人皆知的事情了。臺積電當然不會坐以待斃。今年四月份，臺積電宣布將在未來三年內，累積投資1000億美元用于建廠擴產。隨后不到一個月的時間，三星也同樣宣布了投資計劃：到2030年，三星將累積投資171萬億韓元（折合成美元約1450億元），金額比臺積電的投資計劃多將近500億美元。
在10月份，三星在公布第三季度財報時表示，會繼續新建工廠和擴產現有的產線，爭取在2026年實現晶圓代工產能增加3倍。關于先進制程工藝的研發進度，三星表示會在2022年上半年量產第一代3nm工藝芯片，到2023年量產3nm工藝芯片的第二代產品。這個量產時間和臺積電規劃的3nm工藝量產時間非常相近。
根據公開的信息，相比臺積電3nm還將繼續采用FinFET（鰭式場效電晶體）技術，三星表示，其3nm工藝晶圓代工業務將采用3nm GAA技術，將會為業績表現提供顯著的提升作用。
一系列措施下來，三星無非就是要告訴全世界：在投入上，三星比臺積電更愿意花錢；在技術上，臺積電有的，三星也要有，而且還更加先進。
在更加先進的2nm工藝方面，三星也是緊盯臺積電。為了開發2nm工藝技術，三星將對第二代MBCFET（多橋通道場效應電晶體）技術進行研發。三星的規劃是，在第一代3nm工藝正式量產后一年，導入MBCFET技術進行第二代3nm和2nm工藝的開發。
三星MBCFET技術
在開發新技術的同時，三星還不忘對沒有面世的技術打一波廣告：相比7nm工藝，使用新技術的芯片，在保證相同性能的前提下，面積上將縮小45%，功耗將降低50%，效能則提升35%。不過，三星并沒有透漏采用新技術的芯片，價格會上漲多少，以及實際量產的產能情況。
三星與臺積電差距還很明顯
雖然三星一直都在追求在先進工藝上，比臺積電更快實現量產。先不說在量產時間上，三星能夠領先臺積電，在量產規模上，三星一直都與臺積電有著不小的差距。以2019年作為時間軸，在7nm工藝上，臺積電的月產能為10.5萬片，而三星卻只有2萬片。在更加先進的5nm工藝量產規模方面，三星與臺積電同樣差距巨大：臺積電月產能為12萬片，三星只有3.5萬片。
這也是為什么三星總是在先進工藝研發規劃上比臺積電更快，卻從來不提量產規模的原因。就算三星能夠在先進工藝量產上占得先機，也必須要在量產規模和爭取更多訂單方面下功夫。
不過，有分析機構表示，三星的客戶數量正在快速增長，從2017年的35家，到2021年有望突破100家。同時，該機構預測，到2026年，三星的客戶數量將會突破300家。
此次三星將新廠選址在德州，一是為了擴產，二是為了獲取北美市場客戶。韓國的證券分析師就表示，三星要想打敗臺積電稱為世界第一，就必須從臺積電手中搶下蘋果的訂單。韓國媒體也在為三星出謀劃策，指出三星應盡快敲定美國設廠的計劃，然后爭取到蘋果、高通、谷歌的訂單，這樣才能真正打敗臺積電。
對于三星來說，好消息是在前不久已經獲得了谷歌手機業務的訂單。由于這類訂單的競爭難度極大，因此，這對三星來說是開了一個好頭，也增強了三星“稱霸”全球的信心。
日本的貿易制裁，讓韓國決心打造自己的半導體產業鏈
要論2019年全球國際大事件，日韓半導體材料貿易爭端絕對夠資格入選。日本宣布對韓國進口的光刻膠、含氟聚酰亞胺和高純度氟化氫實行出口管制。結果，韓國從企業、政府到民眾都反應劇烈，可見日本對韓國這三種材料的出口管制可謂精準打擊。
為什么整個韓國的反應會這么大。因為光刻膠是芯片和集成電路制造的核心材料，在半導體基座上復刻電路離不開光刻膠。含氟聚酰亞胺是制造折疊屏的關鍵材料，高純度氟化氫則主要用來蝕刻硅片?？梢娺@三種材料對晶圓代工和智能手機折疊屏非常重要，而韓國對這些材料的供應鏈依賴非常深。
日本之所以能夠對韓國進行貿易制裁，是因為日本基本控制了氟聚酰亞胺和氟化氫的供應。光氟化氫的產量，日本就占據了全球市場的90%，全球半導體企業有70%的氟化氫都是從日本進口的。在光刻膠市場上，日本企業的全球市場占有率也超過了70%。從半導體芯片的材料供應上看，日本企業的綜合市場占有率超過了50%，芯片生產所必須的19種材料，日本能供應其中的14種，且都處于行業領先地位。
日本的精確制裁，除了讓韓國感到憤怒，更讓韓國意識到建立自己的半導體供應鏈的重要性。
韓國政府計劃，在之后的十年內，將累積投入4500億美元，用于原材料、生產設備、零部件等半導體產業鏈的補齊。按照計劃，到2030年，韓國將完善和構建全球規模最大的半導體產業供應鏈。
韓國開始布局第三代半導體材料
隨著新能源市場的熱度不斷增高，SiC、GaN作為第三代半導體材料，在功率器件中的應用越來越成熟。由于SiC材料具有高導熱率、高導電率和高禁帶寬度（高功率密度和高擊穿電場）等物理特性，已經逐漸成為未來制作半導體芯片的基礎材料。
韓國在第三代半導體材料方面也是有想法的。今年5月，韓國啟動GaN半導體集成電路的國產化課題。此前，韓國已正式宣布培養第三代半導體技術，并計劃到2025年開發出5種以上的商業化產品。
關于SiC市場，韓國現代旗下一個半導體子公司奧創，在去年5月聯合現代汽車共同成立了一個研究室，用于研發SiC功率器件。值得一提的是，現代汽車最新的E-GMP純電動汽車平臺上已經采用了SiC技術。
韓國半導體產業的發展定位，一直都是要求自己掌握知識產權，采取的都是先引進，再合作，然后進行技術內部消化，最后達到自主化的目的。
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