頂點資訊2021年11月10日消息，II‐VI Incorporated（II-VI高意）在今天宣布，與東莞天域半導體科技有限公司達成戰略合作，為其供應150nm SiC基板。
天域半導體表示，通過與II-VI高意合作，將確保供應鏈更加多樣化，未來200nm半導體產品的質量會有可靠的保證。SiC基片對于智能電網、數據網絡電源、可再生能源、電動汽車和微電網至關重要，此次合作將為這些行業對于SiC電力電子的需求提供強有力的保障。
擁有眾多“中國首家”的天域半導體
天域半導體是我國大陸首家從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業，是中國首家獲得汽車質量認證（IATF 16949）的SiC半導體材料供應商，是目前中國擁有碳化硅外延爐-CVD最多的半導體企業，產能達到5000件/月。今年7月，天域半導體還獲得了華為的哈勃投資。
早在2010年，天域半導體就與中國科學院半導體研究所合作，成立了SiC研究所，提供MOSFET、 IGBT、GTO、JFET、BJT、n-型/p-型摻雜外延材料和制作肖特基二極管。
II-VI高意加快在中國擴產的步伐
為滿足全球最大的清潔能源和電動汽車（EV）市場的巨大需求，II-VI高意明顯加快了在中國擴產的步伐。
今年4月中旬，II-VI在位于福州的總部成立了一個后端加工生產線，所有的生產環節都在100級和1000級的潔凈室中進行。該生產線主要進行后端SiC晶圓加工，包括化學機械拋光、邊緣研磨、清洗和檢測，生產的產品主要用于SiC導電襯底。
該生產線僅僅是II-VI擴產計劃中的一部分。按照計劃，II-VI將在未來5年把SiC基板的產能擴大5-10倍，其中包括200nm SiC基板。
4月下旬，II-VI最大的研發和技術中心---上海研發中心建成，擁有員工近600名。
8月底，II-VI聯合福州政府，啟動128個億元級別重點技改項目，其中包括II-VI高意碳化硅襯底片項目。
目前，在中國福州、廣州、上海、深圳、蘇州和無錫等城市，II-VI已經建成了一大批生產基地和研發中心。
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