在10月7日舉辦的論壇活動上，三星透露其將把3nmGAA制程推遲至明年上半年量產(chǎn)。
但這之前，在2021年上半年時三星早已官宣其3nmGAA工藝已成功試生產(chǎn)（試用成功將會大規(guī)模生產(chǎn)），在前不久，三星也正式宣布將批量生產(chǎn)3GAE和3GAP節(jié)點，這給三星帶來令人難以想象的能效提升。
因為三星認為采用舊的設計所產(chǎn)生的成本會影響到所得到的收益，甚至收益會小于成本。所以三星采用了全新的GAA形式，也是三星帶來令人驚嘆的能效的原因。全新的GAA形式，是三星摒棄了以前使用的納米線形式，而采用多層堆疊的納米線進行替代。
據(jù)悉，三星這一新的工藝可以在保留原有優(yōu)點的情況下，將生產(chǎn)的復雜難度降低。與此同時，MBCFET—— FinFET 的升級版，在保持他原有面積的優(yōu)點上，提升了性能，不僅兼容了以往的技術(shù)，還實現(xiàn)了設計上的遷移。
并且，三星也提出其宣布的3nmGAA技術(shù)相較于其之前的7nmLPP將會提高35%的性能和節(jié)省50%的功能損耗，在提高性能的基礎上更加持久。
根據(jù)先前對蘋果的報道，蘋果從臺積電獲得的最初的3nm芯片供應，但似乎生產(chǎn)這種光刻技術(shù)芯片也帶來了不少技術(shù)層面上的問題，因此這使臺積電不得不再投入到3nm的研究當中并推遲批產(chǎn)。
基于以上的原因，可能是三星也擔心如果過早的批產(chǎn)這些節(jié)點可能會重蹈臺積電的覆轍，但這一推延反而使得芯片短缺加劇。
不過，三星推遲批量生產(chǎn)將給三星更多的準備時間，這使三星能夠建立起更加穩(wěn)固的基礎，并在實驗當中探索出滿意的答案，在這之后應該可以以更快的速度產(chǎn)出更多的晶圓，進而緩解芯片短缺的問題。
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