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        頂點光電子商城2022年8月22消息：近日，三星電子已于8月19日在韓國京畿道器興園區(qū)舉行了下一代半導(dǎo)體研發(fā)（R&D）園區(qū)動工儀式。

       該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米，將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元（約合人民幣1030億元）。

       據(jù)悉，這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內(nèi)新建研發(fā)中心。三星電子相關(guān)人士表示，若建成具備尖端設(shè)備的研發(fā)中心，有望縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時間，提升半導(dǎo)體質(zhì)量。

       目前，三星和臺積電是全球僅有的兩家合同芯片制造商能夠以先進的制造技術(shù)制造半導(dǎo)體，而后者在市場上處于領(lǐng)先地位。

       當(dāng)前，存儲芯片制造商正在競相增加其產(chǎn)品層數(shù)。SK海力士最近完成了238層產(chǎn)品的開發(fā)，美光科技宣布開發(fā)出全球首款232層NAND閃存產(chǎn)品。