商品名稱:IR 場效應晶體管 MOSFET IRF7316TR
商品型號:IRF7316TR
品牌:安森美半導體
封裝規格:SO8
商品類別:
二級分類:晶體管 MOSFET
商品批號:9842P/QX
貨期:
商品編號:
商品重量:0.001kg
庫存數量:10000 個
單價:
產品描述:
mosfet 2P-CH 30v 4.9A 8-soic
產品參數:
| 是否Rohs認證 | 不符合 |
| 零件包裝代碼 | SOIC |
| 包裝說明 | SO-8 |
| 針數 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等級(Eas) | 140 mJ |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源擊穿電壓 | 30 V |
| 最大漏極電流 (Abs) (ID) | 4.9 A |
| 最大漏極電流 (ID) | 4.9 A |
| 最大漏源導通電阻 | 0.058 Ω |
| FET 技術 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代碼 | MS-012AA |
| JESD-30 代碼 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代碼 | e0 |
| 濕度敏感等級 | 1 |
| 元件數量 | 2 |
| 端子數量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作溫度 | 150 °C |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流溫度(攝氏度) | 245 |
| 極性/信道類型 | P-CHANNEL |
| 功耗環境最大值 | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 最大脈沖漏極電流 (IDM) | 30 A |
| 認證狀態 | Not Qualified |
| 表面貼裝 | YES |
| 端子面層 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間 | 30 |
| 晶體管應用 | SWITCHING |
| 晶體管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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庫存數量:3000 個 整包裝: 貨期:現貨 |
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