商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11475-256WB
商品型號：G11475-256WB
品牌：濱松光子
封裝規格：Metal
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：
貨期：4個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數量：1000 個
單價：
濱松 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11475-256WB
近紅外傳感器（0.9至2.05μm） G11475至G11478系列是一款InGaAs線性圖像傳感器，專為近紅外多通道分光光度計而設計。 這些線性圖像傳感器包括InGaAs光電二極管陣列和電荷放大器，偏移補償電路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定時發生器。 電荷放大器配置有CMOS晶體管陣列，并被連接到InGaAs光電二極管陣列的每個像素。 由于每個像素的信號都是以電荷積分模式讀取的，因此這款傳感器在近紅外區域擁有高靈敏度和穩定的工作狀態。 與以前的產品相比，這些傳感器在高增益時具有更高的數據速率和更好的線性特性。 封裝采用氣密密封，可靠性極佳。 CMOS芯片上的信號處理電路能夠通過借助外部電壓使得從兩種可用類型中選擇合適的轉換效率（CE）成為可能。
產品特性
● 低噪音，低暗電流
● 可從兩種轉換效率類型中選擇
● 內置飽和對抗電路
● 內置CDS電路
● 內置熱敏電阻
● 補償電路
● 操作簡便（內置定時發生器）
| 圖像尺寸 | 12.8 x 0.25 mm |
| 像素尺寸 | 50 x 250 μm |
| 像素間距 | 50 μm |
| 總像素個數 | 256 pixels |
| 封裝 | Metal |
| 幀頻 (最大值) | 17200 lines/s |
| 制冷方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光譜響應范圍 | 900 to 1850 nm |
| 暗電流（典型） | 20 pA |
| 測試條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted Tchip=-20℃ |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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TDI相機 濱松 TDI相機 C10000-A01 封裝： 品牌：濱松光子 |
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1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？
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