商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G14006-512DE
商品型號：G14006-512DE
品牌：濱松光子
封裝規格：Ceramic
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
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貨期：現貨
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商品重量：0.001kg
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濱松 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G14006-512DE
單視頻線（512像素）近紅外圖像傳感器（1.12至1.9μm）
G14006-512DE InGaAs線性圖像傳感器專為異物檢測設備而設計。 線性圖像傳感器由InGaAs光電二極管陣列和CMOS芯片組成，其包含電荷放大器陣列，偏移補償電路，移位寄存器和定時發生器。 InGaAs光電二極管陣列和CMOS芯片通過銦凸塊導電連接。 電荷放大器陣列由連接到InGaAs光電二極管陣列的每個像素的CMOS晶體管組成。 在電荷積分模式下讀出來自每個像素的信號，以在近紅外光譜范圍內實現高靈敏度和穩定操作。 CMOS芯片上的信號處理電路提供兩級轉換效率（CE）以供選擇，根據應用要求可通過調整外部電壓進行選擇。
產品特性
● 單視頻線（512像素）
● 高速數據速率：最大5 MHz
● 兩個轉換效率級別可供選擇
● 像素大?。?5×25μm
● 內置溫度傳感器
● 像素之間線性度的變化很微小
● 室溫操作
| 圖像尺寸 | 12.8 x 0.025 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 25 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 總像素個數 | 512 pixels |
| 封裝 | Ceramic |
| 幀頻 (最大值) | 8150 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光譜響應范圍 | 1120 to 1900 nm |
| 暗電流（典型） | ±10 pA |
| 測試條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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TDI相機 濱松 TDI相機 C10000-A01 封裝： 品牌：濱松光子 |
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