商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11477-512WB
商品型號：G11477-512WB
品牌：濱松光子
封裝規格：Metal
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：
貨期：4個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數量：1000 個
單價：
濱松 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11477-512WB
近紅外傳感器(0.9到2.15μm)
G11475 - G11478系列是一種用于近紅外多通道分光光度法的InGaAs線性圖像傳感器。這些線性圖像傳感器由InGaAs光電二極管陣列和電荷放大器、偏移補償電路、移位寄存器和CMOS芯片上形成的定時發生器組成。電荷放大器配置有CMOS晶體管陣列，并連接到InGaAs光電二極管陣列的每個像素。由于每個像素的信號都是在電荷集成模式下讀取的，因此在近紅外區域具有較高的靈敏度和穩定性。這些傳感器具有更高的數據速率和更好的線性特性在高增益比以往的產品。該包裝是密封的，提供了優良的可靠性。CMOS芯片上的信號處理電路可以使用外部電壓從兩種類型中選擇轉換效率(CE)。
產品特性
● 低噪音，低暗電流
● 可從兩種轉換效率類型中選擇
● 內置飽和對策電路
● 內置cd電路
● 操作簡單(內置定時發生器)
● 高分辨率:25μm音高
| 圖像尺寸 | 12.8 x 0.25 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 250 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 總像素個數 | 512 pixels |
| 封裝 | Metal |
| 幀頻 (最大值) | 9150 lines/s |
| 制冷方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光譜響應范圍 | 900 to 2150 nm |
| 暗電流（典型） | 50 pA |
| 測試條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Tchip=-20℃ |
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CMOS相機 濱松 H8953-30 緊湊型X射線CMOS相機 非破壞性檢測 封裝： 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16561-0909T 0.95至1.69μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16562-0909T 1.12至1.85μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16563-0909T 1.3至2.15μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16564-0909T 1.7至2.55μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17242-0808T 0.9至2.15μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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光電倍增管PMT 濱松 光電倍增管 R16571 側窗型 InGaAs光陰極面 適用于光譜儀 封裝：側窗型 品牌：濱松光子 |
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TDI相機 濱松 TDI相機 C10000-A01 封裝： 品牌：濱松光子 |
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CMOS相機 濱松 CMOS相機 C11440-62U 封裝： 品牌：濱松光子 |
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庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？
答：部分商品可以直接下單，但考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，請您直接聯系商城客服，您也可以點擊詢價或提交BOM單，我們將會與您聯系并給出對應的解決方案。
2. 商品都是原裝正品嗎？
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
3.可以提供原廠或代理的資質證明嗎？
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